Description
El mosfet de potencia de tercera generación de Vishay Semiconductor proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia de conexión y rentabilidad. El DPAK está diseñado para montaje en superficie utilizando técnicas de soldadura de fase de vapor, infrarrojos o por ola. La versión de cable recto (serie IRFU, SiHFU) es para aplicaciones de montaje en orificio pasante. Los niveles de disipación de potencia de hasta 1,5 W son posibles en aplicaciones de montaje en superficie típicas.
Valor nominal dinámico dV/dt
Disponible en cinta y carrete
Conmutación rápida
Fácil de paralelizar
Requisitos de accionamiento sencillos
Reviews
There are no reviews yet.