Description
El dispositivo de alimentación MOSFET en carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la avanzada e innovadora tecnología SiC MOSFET de 3ª generación de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.
con cualificación AEC-Q101
RDS(on) muy baja en todo el rango de temperaturas
Alto rendimiento de conmutación
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Pin de detección de fuente para mayor eficacia
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