Description
El Infineon tiene MOSFET de SiC que proporciona un rendimiento fiable y rentable en un encapsulado de TO247 4 contactos. La tecnología MOSFET CoolSiC aprovecha las fuertes características físicas del carburo de silicio, añadiendo características únicas que aumentan el rendimiento, la solidez y la facilidad de uso del dispositivo. El MOSFET 650V se basa en un semiconductor de zanja de última generación, optimizado para permitir que no se comprometan a obtener las pérdidas más bajas de la aplicación y la máxima fiabilidad de funcionamiento.
Capacidades bajas
Comportamiento de conmutación optimizado a corrientes superiores
Fiabilidad superior de óxido de puerta
Excelente comportamiento térmico
Mayor capacidad de avalancha
Funciona con controladores estándar
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