MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 160 A, TO-263 de 3 pines

Description

Este MOSFET de potencia HEXFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de unión de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y avalancha repetitiva mejorada

No contiene plomo