MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 660 mA, Mejora, SOT-223 de 4 pines
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MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 660 mA, Mejora, SOT-223 de 4 pines

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Description

MOSFET Infineon serie SIPMOS®, corriente de drenaje continua máxima de 660 mA, disipación de potencia máxima de 1,8 W – BSP297H6327XTSA1

Este MOSFET está diseñado para ofrecer un rendimiento de conmutación eficiente en diversas aplicaciones electrónicas. Con una corriente de drenaje continua máxima de 660 mA y una tensión de ruptura de 200 V, es adecuado para su uso en diversos entornos. Su diseño de montaje en superficie simplifica la integración en sistemas automatizados, por lo que es aplicable tanto en el sector electrónico como en el de la automoción.

Características y ventajas

La configuración de canal N mejora la eficiencia de conmutación

La baja tensión de umbral de puerta garantiza la compatibilidad con los niveles lógicos

Las altas tensiones nominales se adaptan a una amplia gama de aplicaciones

La mayor capacidad de disipación de energía favorece una gestión térmica eficaz

La cualificación AEC-Q101 cumple las normas de la industria automovilística

El encapsulado compacto SOT-223 permite diseños que ocupan poco espacio

Aplicaciones

Utilizado para el control de motores en sistemas de automoción

Aplicado a la gestión de la energía en la electrónica de consumo

Se utiliza en sistemas de gestión de baterías para regular la energía

Se emplea en la amplificación de señales en dispositivos de comunicación

Ideal para fuentes de alimentación conmutadas que mejoran la eficiencia

¿Cuál es la temperatura máxima de funcionamiento para un rendimiento óptimo?

El componente puede funcionar eficazmente a temperaturas de hasta +150 °C, lo que garantiza su estabilidad en condiciones de alta temperatura.

¿Cómo debe instalarse el MOSFET para obtener los mejores resultados?

Utiliza la tecnología de montaje en superficie para la instalación en una placa de circuito impreso compatible, garantizando una soldadura correcta para mantener la integridad de la conexión.

¿De qué tipo de materiales está hecho este MOSFET?

Está fabricado con silicio (Si), lo que contribuye a su rendimiento y fiabilidad en diversos usos.

¿Puede soportar condiciones de tensión severas durante el funcionamiento?

Sí, tiene una tensión máxima de ruptura drenaje-fuente de 200 V, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alto voltaje.

¿Cómo afecta la carga de la puerta a su rendimiento?

La carga de puerta total típica es de 12,9nC a 10V, lo que garantiza tiempos de conmutación rápidos y una mayor eficiencia del circuito.

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