Description
MOSFET de canal N serie OptiMOS de Infineon en encapsulado DPAK. Tiene ventajas de la capacidad de corriente más alta, las pérdidas de potencia de conducción y conmutación más bajas para la máxima eficiencia térmica y encapsulados robustos con calidad y fiabilidad superiores.
Certificación AEC Q101 para automoción
260 MSL1 hasta °C de reflujo Peak
Temperatura de funcionamiento de 175 °C.
Paquete verde
RDS ultra baja
Prueba de avalancha de 100 %
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