Description
La memoria inteligente DRAM síncrona de cuatro bancos está organizada en 4 bancos x 1Mbit x 16. Alcanza velocidades de transferencia de datos de alta velocidad de hasta 166 MHz, empleando una arquitectura de chip que preconfigura múltiples bits y sincroniza los datos de salida con el reloj del sistema, garantizando un rendimiento rápido y fiable.
Modo de apagado
Actualización automática y autorrenovación
Mando de precarga automático y controlado
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